第一百零四章 碳基芯片（1更）（1 / 2）

这，这难道是？

王昱仔细看着这块芯片。

似乎是因为过于激动，甚至于连声音都变得有些颤抖起来。

“碳基芯片？”

王昱说出了一个不太可能的结果。

他张了张口，在说出这个答案的时候，就连他自己，也是不太相信。

碳基芯片！

这是什么概念。

在摩尔定律的作用下。

硅基芯片的算力在1n已经达到了瓶颈状态。

但是1n的算力，想要满足强人工智能的算力，明显相差甚远，甚至于可以说是差距蛮大。

碳基芯片能够完美地解决这个问题。

毫不意外地说，如果后人有一天定义信息化智能化时代为第四次工业革命的话。

那么碳基芯片绝对是第四次工业革命的代表产物。

面对着王昱的问题，苏陌颇为认真地点点头：“没错，这就是碳基芯片。”

“在硅基芯片中，其主要进行计算的晶体管就是半导体，那么栅极和沟道区域之间有一层高k节电材质（绝缘层），通过施加在栅极的电压在沟道区域产生电场，从而切断电流的流动，控制沟道的导通和关断。”

“这就是计算机的本质，也是芯片计算的本质属性，通过控制电子的通断，从而进行0与1的计算。”

“栅极和沟道区域有一层绝缘层，最早这层绝缘层是用二氧化硅来构成，随着晶体管尺寸的缩小，绝缘层就变得越来越薄了，这样就可以通过更小的电压来控制电流，从而降低能耗。”

苏陌讲解到这里的时候，王昱等人都是频频点头。

唐新春也研究过一段时间的电子击穿效应，跟着苏陌后面解释道：“但要是彼此之间的晶体管排列紧密，而且彼此之间的绝缘层变得非常薄的话，那么根据量子物理学的效应，两个比较薄的绝缘层附近，将会出现量子的隧穿效应。”

“唐教授说的这部分没问题，的确如此！”

苏陌微笑着点点头，然后转身到身后的黑板上，拿着粉笔直接绘制了一个模型图。

“若是从整体结构上来看，碳基芯片是利用单个碳纳米管或者碳纳米管阵列作为沟道材料，它允许电子从源极流到漏极。源极和漏极也不再掺杂硅，而是改用特殊的金属，利用金属与碳纳米管之间的结电压来制作晶体管。”

“在材料的选择方面，我们可以使用n型碳晶体管使用活性金属钪或钇来作为漏极，p型碳晶体管使用惰性金属钯作为源极。”

“由于量子隧穿效应的出现，所以硅晶体管不得不向三维演变，从而克服这个效应所带来的危害，但是碳纳米管从一开始就直接是三维立体结构，并且碳纳米管的传导速度可以说是硅纳米管的成百上千倍，功耗却只有硅基晶体管的十分之一不到！”

苏陌分析到这里，整个黑板上已经将电子栅栏图绘制出来。

配合着图片的讲解，在场的不少人都是流露出了然的神色。

王昱接着道：“你的意思是，由于碳基芯片强大的算力与散热性能，所以在进行计算的时候，并不需要很庞大的硅基排布，所以碳基芯片可以不断地做小！”

“不光是如此，更关键的地方在于，整个碳基芯片采取的结构是三维立体结构，整体的结构水平上来看，我们将可计算部分的晶体管可以呈现出三维高度排布，而不是像硅基芯片一样只能够双面板！”

苏陌补充说明了一下。

王昱更是瞬间明白：“我明白你的意思了，你对碳基芯片的研究到什么程度？整个芯片是否能够进行商业化量产？”

“简单来说，这只是处于实验室的阶段，毕竟我找不到高精度的光刻机技术，甚至于连14纳米量程的实验都无法完成，所以具体的性能指标并不是很清楚！”

苏陌故作无奈地说道。

14纳米的光刻机！

王昱愣了下片刻。